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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW10T60P是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与10A连续漏极电流（Id），具备处理高压大功率应用的基本能力。
其关键电气特性包括：在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(On)）最大值为700mΩ，有助于降低导通损耗；栅极总电荷（Qg）最大值为40nC，有利于实现快速的开关切换，从而优化系统效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并具有208W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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