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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF4N60是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下典型值仅为2.3欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg， 最大值14.5nC）和输入电容（Ciss， 最大值640pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，适合高频电源设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在宽温环境下的可靠性。
基本参数：
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