我们为全球各个行业提供AOS AON6786_001现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AON6786_001是AOS公司推出的一款采用8-DFN封装的高性能N沟道MOSFET，隶属于其SRFET产品系列。该器件核心优势在于极低的导通电阻与优异的开关性能平衡，其Rds(On)低至2.4毫欧（@10V，20A），最大栅极电荷仅为51nC，能显著降低传导与开关损耗，提升系统效率。

器件额定漏源电压为30V，在管壳温度下可支持高达85A的连续漏极电流，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）。其紧凑的封装与集成的体二极管特性，使其成为空间受限的高密度电源转换、电机驱动及负载开关等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6786_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 24A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6780pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• AON6786_001，AOS产品一站式供应商。