AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6786_001是AOS公司推出的一款采用8-DFN封装的高性能N沟道MOSFET，隶属于其SRFET产品系列。该器件核心优势在于极低的导通电阻与优异的开关性能平衡，其Rds(On)低至2.4毫欧（@10V，20A），最大栅极电荷仅为51nC，能显著降低传导与开关损耗，提升系统效率。
器件额定漏源电压为30V，在管壳温度下可支持高达85A的连续漏极电流，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）。其紧凑的封装与集成的体二极管特性，使其成为空间受限的高密度电源转换、电机驱动及负载开关等应用的理想选择。
基本参数：
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