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AON4807_001是一款由AOS制造的双P沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-DFN封装。其核心电气参数针对高效、紧凑的开关应用进行了优化，包括30V的漏源电压、4A的连续漏极电流以及低至68毫欧（@4A, 10V）的导通电阻。

该器件的关键优势在于其出色的开关特性与易驱动性。最大2.3V的栅极阈值电压使其可直接由低压微控制器或逻辑电路驱动，而最大10nC（@10V）的栅极电荷确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其成为电池管理、负载切换和电机控制等应用中实现高效功率路径管理的理想选择。

• 型号:AON4807_001
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x2）
• AON4807_001，AOS产品一站式供应商。