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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOI4185是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET,采用TO-251A通孔封装。该器件设计用于在40V的最大漏源电压下工作,并能够持续承载高达40A的漏极电流,适用于中高功率的开关应用。
其核心优势在于优异的导通特性,在10V栅极驱动下,导通电阻低至15毫欧(@20A),这有助于显著降低导通状态损耗。同时,较低的栅极电荷(55nC @10V)确保了快速的开关瞬态响应,有利于提升系统效率。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围,具备良好的热性能与可靠性。

基本参数:

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