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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6415L是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气参数包括20V的漏源电压（Vdss）和3.3A的连续漏极电流（Id），能够在10V栅极驱动下实现低至75毫欧（最大值）的导通电阻，有效降低了导通损耗。
该器件具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC，输入电容（Ciss）最大值为620pF，确保了快速的开关响应。其栅极阈值电压兼容低电压逻辑，标准驱动电压范围为2.5V至10V，工作结温范围为-55°C至150°C，为各种低压、中电流的功率开关应用提供了高可靠性解决方案。
基本参数：
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