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AO6415L是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气参数包括20V的漏源电压（Vdss）和3.3A的连续漏极电流（Id），能够在10V栅极驱动下实现低至75毫欧（最大值）的导通电阻，有效降低了导通损耗。

该器件具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC，输入电容（Ciss）最大值为620pF，确保了快速的开关响应。其栅极阈值电压兼容低电压逻辑，标准驱动电压范围为2.5V至10V，工作结温范围为-55°C至150°C，为各种低压、中电流的功率开关应用提供了高可靠性解决方案。

• 制造商产品型号：AO6415L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• AO6415L，AOS产品一站式供应商。