我们为全球各个行业提供AOS AOD256_001现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOD256_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括150V的漏源电压（Vdss）以及高达19A（Tc）的连续漏极电流承载能力，为设计中压、中电流的功率路径提供了可靠的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态性能。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值为85毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值22nC）和栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了快速的开关响应，有利于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）也增强了其在各种环境条件下的适用性。

• 制造商产品型号：AOD256_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：150V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1165pF @ 75V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD256_001，AOS产品一站式供应商。