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零件图片（仅供参考）
AOD256_001
规格参数

AOD256_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括150V的漏源电压（Vdss）以及高达19A（Tc）的连续漏极电流承载能力，为设计中压、中电流的功率路径提供了可靠的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态性能。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值为85毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值22nC）和栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了快速的开关响应，有利于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）也增强了其在各种环境条件下的适用性。

  • 制造商产品型号：AOD256_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：150V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta），19A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1165pF @ 75V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD256_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD256_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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