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零件图片（仅供参考）
AOTF66613L
规格参数

AOTF66613L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件设计用于60V电压等级的应用，在25°C环境温度下提供44.5A的连续漏极电流，并在管壳温度条件下支持高达90A的电流能力，展现出卓越的载流性能。

其核心电气参数突出高效与易驱动的特点。器件的导通电阻极低，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为2.5毫欧，能有效降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在110nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动电路负担。该MOSFET采用TO-220F通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与通信电源领域。

  • 制造商产品型号：AOTF66613L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 44.5A/90A TO220F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaSGT
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：44.5A（Ta），90A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：110nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5300pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：8.3W（Ta），34.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF66613L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 44.5A/90A TO220F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF66613L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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