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AOTF66613L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件设计用于60V电压等级的应用，在25°C环境温度下提供44.5A的连续漏极电流，并在管壳温度条件下支持高达90A的电流能力，展现出卓越的载流性能。

其核心电气参数突出高效与易驱动的特点。器件的导通电阻极低，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为2.5毫欧，能有效降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在110nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动电路负担。该MOSFET采用TO-220F通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与通信电源领域。

• 型号:AOTF66613L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 44.5A/90A TO220F
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44.5A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），34.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF66613L，AOS产品一站式供应商。