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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF160A60是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-262F封装。其核心优势在于高达600V的漏源电压（Vdss）耐受能力和24A的连续漏极电流处理能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。
该器件在性能上实现了关键参数的优化平衡：在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至160毫欧（@12A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为46nC，确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应各种环境挑战。
基本参数：
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