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AOWF160A60是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-262F封装。其核心优势在于高达600V的漏源电压（Vdss）耐受能力和24A的连续漏极电流处理能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

该器件在性能上实现了关键参数的优化平衡：在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至160毫欧（@12A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为46nC，确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应各种环境挑战。

• 型号:AOWF160A60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF160A60，AOS产品一站式供应商。