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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOT10N60 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装。其核心电气特性包括600V的漏源电压(Vdss)和10A(Tc)的连续漏极电流额定值,为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通性能,在10V Vgs、5A Id条件下,导通电阻(Rds(on))最大值仅为750毫欧,有助于显著降低导通损耗。同时,其最大栅极电荷(Qg)为40nC,有利于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。这些参数共同使其成为追求高效率电源设计的理想选择。

基本参数:
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