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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW12N50是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。其核心参数定义了出色的功率处理能力：500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），使其能够胜任中高功率应用场景。
该器件的关键优势在于其低导通电阻（Rds(on)仅520mΩ）与低栅极电荷（Qg仅37nC）的优化组合。低导通电阻有效降低了导通损耗，而低栅极电荷则确保了快速的开关切换，两者共同作用，显著提升了系统的整体效率与功率密度，尤其适用于高频开关电源设计。
基本参数：
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