我们为全球各个行业提供AOS AOD2922现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOD2922是AOS公司AlphaMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为100V，在壳温（Tc）25°C下可连续通过高达7A的电流，具备强大的功率处理能力。

其核心电气特性表现为优异的效率组合：在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）最大值为140毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大仅为10nC。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其非常适合高频开关电源应用。此外，器件支持宽范围栅极驱动电压（±20V），工作结温高达175°C，确保了设计的灵活性与可靠性。

• 型号:AOD2922
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.5A/7A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta），7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），17W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD2922，AOS产品一站式供应商。