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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6548是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，专为高电流、高效率应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（1.8毫欧 @ 10V）和高达85A（Tc）的连续漏极电流能力，这确保了在电源转换和功率开关路径中实现最低的传导损耗。
该器件具备30V的漏源电压额定值，兼容标准栅极驱动电平，并拥有优异的开关特性（Qg 90nC）。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与强大的功率耗散能力（83W @ Tc），为高可靠性、高功率密度的系统设计提供了坚实的基础。
基本参数：
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