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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOU3N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3封装。其核心规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）和2.8A（Tc）的连续漏极电流额定值，为离线电源应用提供了坚实的基础耐压和电流处理能力。
该器件的性能亮点在于其优化的动态与静态参数。其导通电阻（Rds(On)）典型值较低，有助于减少导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率和整体效率。其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C TJ）进一步增强了其在各种环境条件下的适用性和可靠性。
基本参数：
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