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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6452L是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，隶属于其SDMOS产品系列。该器件采用8-DFN-EP封装，核心特性包括100V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在10V Vgs下低至25毫欧（@20A）的最大导通电阻，这有助于显著降低导通损耗，提升能效。
其电气参数支持高效的功率处理，连续漏极电流在管壳温度（Tc）条件下可达26A，最大栅极电荷（Qg）为34nC，有利于实现快速开关。器件设计工作在-55°C至150°C的宽结温范围，并具备35W（Tc）的最大功率耗散能力，适用于对可靠性和热管理有较高要求的电源转换与电机控制应用。
基本参数：
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