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AOD3N50_004是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压额定值和2.8A的连续漏极电流能力，为高压应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其低导通特性，最大导通电阻仅为3欧姆（@1.5A，10V），有助于最小化传导损耗。同时，其栅极电荷（8nC @10V）和输入电容（331pF @25V）均保持在较低水平，这优化了开关性能，减少了驱动损耗，使其适用于要求高效率的开关电源拓扑。

• 制造商产品型号：AOD3N50_004
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD3N50_004，AOS产品一站式供应商。