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零件图片（仅供参考）
AOD3N50_004
规格参数

AOD3N50_004是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压额定值和2.8A的连续漏极电流能力，为高压应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其低导通特性，最大导通电阻仅为3欧姆（@1.5A，10V），有助于最小化传导损耗。同时，其栅极电荷（8nC @10V）和输入电容（331pF @25V）均保持在较低水平，这优化了开关性能，减少了驱动损耗，使其适用于要求高效率的开关电源拓扑。

  • 制造商产品型号：AOD3N50_004
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：500V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD3N50_004
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD3N50_004的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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