AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4435L_104是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和10.5A（Ta）的连续漏极电流，为低压、大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在20V Vgs、11A Id条件下最大值仅为14毫欧，以及较低的栅极电荷（24nC @ 10V），这共同实现了高效率的功率传输与快速的开关性能。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了在多种环境条件下的稳定运行。
基本参数：
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