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AOW292是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs下，Rds(on)典型值仅为4.1毫欧，Qg最大值为126nC，这共同实现了优异的导通与开关性能，显著降低了功率损耗。

该器件额定电压为100V，连续漏极电流在壳温条件下高达105A，最大功率耗散可达300W（Tc），具备强大的电流处理与散热能力。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在工业及汽车等严苛环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOW292
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6775 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW292，AOS产品一站式供应商。