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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW292是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs下，Rds(on)典型值仅为4.1毫欧，Qg最大值为126nC，这共同实现了优异的导通与开关性能，显著降低了功率损耗。
该器件额定电压为100V，连续漏极电流在壳温条件下高达105A，最大功率耗散可达300W（Tc），具备强大的电流处理与散热能力。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在工业及汽车等严苛环境下的可靠性与稳定性。
制造商产品型号：AOW292制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 105A TO262系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：14.5A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：126nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6775pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），300W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-262AOW292，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOW292
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 105A TO262
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOW292的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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