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AOB411L_001是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss），以及在10V Vgs、20A Id条件下低至16.5mΩ的最大导通电阻，这确保了其在开关应用中具备优异的高效率和低功耗表现。

该器件具备强大的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流高达78A，最大功率耗散为187W（Tc），结合其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C），能够满足高功率密度和严苛环境的应用需求。其栅极电荷（Qg）最大值仅为100nC，有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。

• 制造商产品型号：AOB411L_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta），78A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6400pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：187W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• AOB411L_001，AOS产品一站式供应商。