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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB10N60L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心优势在于600V的高耐压与10A的连续漏极电流能力，结合低至750毫欧的导通电阻，为高压开关应用提供了优异的导通性能与能效表现。
该器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为40nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和250W的功率耗散能力，确保了其在工业电源、电机控制等 demanding 应用环境下的高可靠性与鲁棒性。
基本参数：
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