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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4452是一款采用SDMOS技术的N沟道功率MOSFET，封装于紧凑的8-SOIC中。其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和8A（Ta）的连续漏极电流（Id），提供了稳健的电压阻断和电流处理能力。
该器件的关键优势在于其低导通阻抗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大仅为25毫欧（@8A），有效降低了导通损耗。同时，34nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）有助于实现高效率的高频开关操作。这些特性使其成为空间受限且对效率有要求的功率转换应用的理想选择。
基本参数：
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