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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF13N50是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心参数包括500V的漏源击穿电压（Vdss）和13A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其低导通与低开关损耗特性。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、6.5A Id条件下仅为510毫欧，有效降低了功率传导过程中的能量损失。同时，最大栅极电荷（Qg）低至37nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动电路的负担，从而提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。
基本参数：
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