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零件图片（仅供参考）
AO4448L
规格参数

AO4448L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SDMOS技术及8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括80V的漏源电压(Vdss)与10A的连续漏极电流(Id)额定值，能够在标准工作条件下提供可靠的功率处理能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V驱动电压下导通电阻(Rds(on))最大值仅为16毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，其较低的栅极电荷(Qg，最大值34nC)与输入电容有利于实现快速开关，提升转换效率。器件设计兼容常见的10V栅极驱动，并具备宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温)。

  • 制造商产品型号：AO4448L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：SDMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2005pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SO
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4448L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4448L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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