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AO4448L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SDMOS技术及8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括80V的漏源电压(Vdss)与10A的连续漏极电流(Id)额定值，能够在标准工作条件下提供可靠的功率处理能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V驱动电压下导通电阻(Rds(on))最大值仅为16毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，其较低的栅极电荷(Qg，最大值34nC)与输入电容有利于实现快速开关，提升转换效率。器件设计兼容常见的10V栅极驱动，并具备宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温)。

• 制造商产品型号：AO4448L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2005pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4448L，AOS产品一站式供应商。