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AO3424是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于平衡了高电流处理能力与低导通损耗，在30V漏源电压和3.8A连续漏极电流的规格下，实现了低至80毫欧的导通电阻，显著提升了系统的整体能效。

该器件具备优异的开关特性，其低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，同时较低的栅极阈值电压使其兼容3.3V/5V逻辑电平驱动，简化了外围电路设计。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和1.4W的功率耗散能力，进一步保障了其在各种环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AO3424
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3424，AOS产品一站式供应商。