AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON5820_101是AOS推出的一款双N沟道共漏极功率MOSFET阵列，采用6-DFN封装。其核心优势在于优异的电气性能：在4.5V栅极电压下，导通电阻低至9.5毫欧（@10A），有效降低导通损耗；同时，最大1V的栅极阈值电压和仅15nC的栅极电荷，使其兼容3.3V/5V逻辑电平并具备快速开关能力。
该器件额定值为20V漏源电压和10A连续漏极电流，最大功耗1.7W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。其集成化共漏极设计节省了PCB空间，并简化了高边开关或同步整流等电路的布局。这些特性使其非常适合用于高效率DC-DC转换器、电机驱动、负载开关及便携式设备的电源管理单元。
基本参数：
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