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AON5820_101是AOS推出的一款双N沟道共漏极功率MOSFET阵列，采用6-DFN封装。其核心优势在于优异的电气性能：在4.5V栅极电压下，导通电阻低至9.5毫欧（@10A），有效降低导通损耗；同时，最大1V的栅极阈值电压和仅15nC的栅极电荷，使其兼容3.3V/5V逻辑电平并具备快速开关能力。

该器件额定值为20V漏源电压和10A连续漏极电流，最大功耗1.7W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。其集成化共漏极设计节省了PCB空间，并简化了高边开关或同步整流等电路的布局。这些特性使其非常适合用于高效率DC-DC转换器、电机驱动、负载开关及便携式设备的电源管理单元。

• 型号:AON5820_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN-EP（2x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN-EP（2x5）
• AON5820_101，AOS产品一站式供应商。