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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB190A60L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（D2Pak）封装，专为高压、高效率开关应用优化。其核心参数包括600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@10V， 7.6A），能显著降低通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg， 最大34nC）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率并降低驱动损耗，从而优化系统整体效率与功率密度。
结合-55°C至150°C的宽工作结温范围和208W的功率耗散能力，AOB190A60L为工业电源、电机驱动及PFC电路等要求高可靠性的应用提供了一个稳健高效的解决方案。
基本参数：
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