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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6284是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（7.1mΩ @10V, 20A）与优化的开关特性（Qg仅为40nC），这显著降低了传导与开关损耗，有助于提升系统整体效率。
该器件具备80V的漏源电压（Vdss）和高达78A（Tc）的连续漏极电流处理能力，提供了宽泛的安全工作区。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并支持±20V的栅极电压，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与鲁棒性。
基本参数：
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