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AONR36366是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、20A电流条件下，Rds(On)最大值仅为3.5毫欧，这能有效降低功率损耗，提升系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，在25°C环境温度下可连续通过30A电流，峰值电流能力更强。其优化的栅极电荷（最大35nC @ 10V）确保了快速的开关性能，适用于高频开关应用。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和良好的驱动兼容性（Vgs范围4.5V-10V），使其成为中低压、高电流电源转换和电机控制等应用的理想选择。

• 型号:AONR36366
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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