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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR36366是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、20A电流条件下，Rds(On)最大值仅为3.5毫欧，这能有效降低功率损耗，提升系统效率。
该器件额定漏源电压为30V，在25°C环境温度下可连续通过30A电流，峰值电流能力更强。其优化的栅极电荷（最大35nC @ 10V）确保了快速的开关性能，适用于高频开关应用。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和良好的驱动兼容性（Vgs范围4.5V-10V），使其成为中低压、高电流电源转换和电机控制等应用的理想选择。
基本参数：
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