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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4772是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了隔离式肖特基二极管，额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）达6A，适用于中等功率的开关应用。
其关键优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至30毫欧（@6A），有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值6.3nC）和输入电容（Ciss，最大值310pF）确保了高效的开关速度，减少驱动损耗。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），具备良好的热可靠性。
基本参数：
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