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AOT266L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）额定值，以及高达140A（Tc）的峰值电流处理能力，配合低至3.5毫欧（@20A,10V）的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗。

该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）仅为90nC @ 10V，有助于实现快速开关并减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达268W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于电机驱动、电源转换及各类工业控制领域。

• 型号:AOT266L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5650 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），268W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT266L，AOS产品一站式供应商。