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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT266L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）额定值，以及高达140A（Tc）的峰值电流处理能力，配合低至3.5毫欧（@20A,10V）的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗。
该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）仅为90nC @ 10V，有助于实现快速开关并减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达268W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于电机驱动、电源转换及各类工业控制领域。
基本参数：
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