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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4435_102是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和10.5A（Ta）的连续漏极电流处理能力，适用于中低电压、大电流的开关应用。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在20V栅源电压、11A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为14毫欧，能有效降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至24nC（@10V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了宽温域下的可靠性。
基本参数：
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