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AOTF15S65L是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压额定值与15A的连续漏极电流能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括较低的导通电阻（最大290mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（最大17.2nC），这共同确保了较低的传导损耗与开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持±30V的宽栅极驱动电压范围，并能在-55°C至150°C的结温下稳定工作，适用于对可靠性和性能要求较高的工业与消费类电源领域。

• 型号:AOTF15S65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3F
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:841 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:34W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF15S65L，AOS产品一站式供应商。