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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF15S65L是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压额定值与15A的连续漏极电流能力,为高压功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点包括较低的导通电阻(最大290mΩ @ 10V)和优化的栅极电荷(最大17.2nC),这共同确保了较低的传导损耗与开关损耗,从而提升系统整体效率。器件支持±30V的宽栅极驱动电压范围,并能在-55°C至150°C的结温下稳定工作,适用于对可靠性和性能要求较高的工业与消费类电源领域。

基本参数:

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