AOTF12N50_007（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOTF12N50_007是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220封装。该器件基于平面MOSFET技术，设计用于高压开关应用，其型号通常指示了适用于500V等级的工作环境，能够满足离线式电源对功率开关元件的耐压需求。

作为一款功率开关，其核心性能优势体现在优化的开关与导通特性上。较低的栅极电荷有助于实现快速开关，减少开关损耗，而较低的导通电阻则能有效降低导通状态下的功率耗散，从而提升系统整体效率与功率密度。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换系统的关键组件。

制造商产品型号：AOTF12N50_007

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH TO220

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOTF12N50_007，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOTF12N50_007

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH TO220

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOTF12N50_007的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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