
我们为全球各个行业提供AOS AOB280L及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOB280L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263(DPak)表面贴装封装。该器件设计用于高效功率开关,其核心优势在于80V的漏源电压(Vdss)和极低的导通电阻,在10V Vgs、20A Id条件下,Rds(On)最大值仅为2.2毫欧,能显著降低传导损耗,提升系统整体效率。
该MOSFET具备强大的电流处理能力,在壳温(Tc)条件下连续漏极电流高达140A,并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围。优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)参数有助于实现快速的开关切换,降低开关损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动、DC-DC转换及汽车电子等高要求功率管理应用的可靠解决方案。

基本参数:

AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询







