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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF3N90是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心特性在于高达900V的漏源电压（Vdss）额定值，以及2.4A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。器件在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），有助于提升能效并实现更快的开关速度。
该MOSFET设计稳健，栅源电压耐受范围达±30V，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣电气及环境条件下的可靠性。其参数组合使其成为中低功率离线电源、LED驱动及工业电源系统中高压侧开关的理想选择。
基本参数：
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