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零件图片（仅供参考）
AON6514_102
规格参数

AON6514_102是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高电流、高效率应用设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下最大值仅为5毫欧，可显著降低传导损耗。同时，器件具备30V的漏源电压额定值，并在Tc条件下支持高达30A的连续漏极电流，提供了强大的功率处理能力。

该器件拥有快速的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）为22.5nC @ 10V，有助于降低开关损耗，提升系统频率和效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换器和电机驱动等应用的优选功率开关解决方案。

  • 制造商产品型号：AON6514_102
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta），30A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6514_102
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6514_102的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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