AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4449是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于优异的电气性能组合：在30V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）额定值下，实现了低至34毫欧（@7A, 10V）的导通电阻，有效降低了导通损耗。
同时，该器件具备极低的栅极电荷（16nC @10V）和输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其易于被标准逻辑电平驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和3.1W的功率耗散能力，进一步保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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