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AO4449是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于优异的电气性能组合：在30V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）额定值下，实现了低至34毫欧（@7A, 10V）的导通电阻，有效降低了导通损耗。

同时，该器件具备极低的栅极电荷（16nC @10V）和输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其易于被标准逻辑电平驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和3.1W的功率耗散能力，进一步保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

• 型号:AO4449
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4449，AOS产品一站式供应商。