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AON6366E是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在30V漏源电压和34A连续电流的额定值下，实现了优异的电气性能。

该器件在10V栅极驱动、20A电流条件下的导通电阻最大值仅为3.7毫欧，同时总栅极电荷最大值低至80nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，能显著降低功率转换系统中的导通损耗和开关损耗，提升整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备46W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:AON6366E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3020 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6366E，AOS产品一站式供应商。