AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6366E是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在30V漏源电压和34A连续电流的额定值下，实现了优异的电气性能。
该器件在10V栅极驱动、20A电流条件下的导通电阻最大值仅为3.7毫欧，同时总栅极电荷最大值低至80nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，能显著降低功率转换系统中的导通损耗和开关损耗，提升整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备46W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。
基本参数：
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