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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7254是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效能功率管理应用而设计。其核心优势在于150V的漏源电压（Vdss）与低至54毫欧的导通电阻（Rds(on)）的结合，在提供高压耐受能力的同时，显著降低了功率传导损耗。
该器件具备优异的开关特性，栅极电荷（Qg）仅为20nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。其连续漏极电流在壳温条件下可达17A，最大功率耗散为39W（Tc），工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性和强大的功率处理能力。
基本参数：
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