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AON6406 是AOS公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心卖点在于极低的导通电阻（2.3mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（100nC @ 10V），这共同实现了卓越的传导与开关性能平衡，有效降低了系统功耗和热损耗。

该器件额定电压30V，在管壳温度下可支持高达170A的连续漏极电流，具备强大的峰值电流处理能力。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）和与逻辑电平兼容的栅极驱动特性，使其成为服务器电源、通信设备DC-DC转换、电机驱动及电池管理等应用的理想选择。

• 型号:AON6406
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A/170A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6406，AOS产品一站式供应商。