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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6406 是AOS公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心卖点在于极低的导通电阻（2.3mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（100nC @ 10V），这共同实现了卓越的传导与开关性能平衡，有效降低了系统功耗和热损耗。
该器件额定电压30V，在管壳温度下可支持高达170A的连续漏极电流，具备强大的峰值电流处理能力。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）和与逻辑电平兼容的栅极驱动特性，使其成为服务器电源、通信设备DC-DC转换、电机驱动及电池管理等应用的理想选择。
基本参数：
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