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AON7400是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs和10A Id条件下，Rds(on)低至12.5毫欧，最大Qg仅为28nC，这共同确保了高效的功率传输与快速的开关性能。

该器件额定漏源电压为30V，具备出色的电流处理能力，在管壳温度下连续电流可达26A。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）与优化的热特性，使其能够稳定工作在要求严苛的功率转换与管理系统之中，例如同步整流、负载点转换及电机控制等应用。

• 型号:AON7400
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A/26A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1452 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7400，AOS产品一站式供应商。