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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7400是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs和10A Id条件下，Rds(on)低至12.5毫欧，最大Qg仅为28nC，这共同确保了高效的功率传输与快速的开关性能。
该器件额定漏源电压为30V，具备出色的电流处理能力，在管壳温度下连续电流可达26A。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）与优化的热特性，使其能够稳定工作在要求严苛的功率转换与管理系统之中，例如同步整流、负载点转换及电机控制等应用。
基本参数：
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