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AO4447A_104是一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，核心优势在于其高电流承载与低导通损耗特性。它在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为5.8毫欧，同时可处理高达18.5A的连续电流，漏源耐压为30V，适用于高效率的功率开关应用。

该器件的栅极驱动兼容性良好，阈值电压典型，便于由标准逻辑电路直接控制。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的可靠性。综合其电气参数，该MOSFET是低压、大电流开关与电源路径管理的有效解决方案。

• 制造商产品型号：AO4447A_104
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.8 毫欧 @ 18.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5020pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4447A_104，AOS产品一站式供应商。