AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB15S65L是AOS公司推出的aMOS系列N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件核心规格为650V漏源电压（Vdss）与15A连续漏极电流（Id），具备在-55°C至150°C结温范围内稳定工作的能力，适用于高压环境。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能：在10V驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值为290毫欧 @ 7.5A，有助于降低导通损耗；栅极电荷（Qg）最大仅17.2nC，支持快速开关以提升频率响应。这些特性使其成为高效功率转换设计的理想选择。
基本参数：
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