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AOB600A70FL是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，其核心优势在于高达700V的漏源电压（Vdss）与低至600mΩ的导通电阻（Rds(on)）的优异组合。在25°C壳温下，器件可支持8.5A的连续漏极电流，并具备104W的功率处理能力，确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。

该器件动态性能卓越，其低栅极电荷（14.5nC @ 10V）和输入电容有助于实现高速开关并降低开关损耗，提升系统效率。TO-263（D2Pak）封装提供了良好的散热路径，宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能适应各种环境要求，是工业电源、电机控制和LED驱动等高压开关应用的理想选择。

• 型号:AOB600A70FL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB600A70FL，AOS产品一站式供应商。