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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4914_101是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用表面贴装型8-SOIC封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个通道具备30V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其核心优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为20.5毫欧，能显著降低功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值18nC）和输入电容（Ciss，最大值865pF）确保了快速的开关响应。器件工作结温范围宽广（-55°C ~ 150°C），适用于对效率和可靠性有要求的紧凑型电源管理及电机控制应用。
基本参数：
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