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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD2816是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装,由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)制造。其核心电气参数包括80V的漏源电压(Vdss),以及在管壳温度(Tc)下达35A的连续漏极电流处理能力,为高功率应用提供了坚实基础。
该器件的显著优势在于其优异的导通特性与开关性能。其在10V Vgs、20A Id条件下的导通电阻(Rds(on))最大值仅为15毫欧,有效降低了导通损耗。同时,最大22nC的栅极电荷(Qg)确保了快速的开关瞬态响应,有利于提升开关电源的工作频率和效率。其宽广的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)和53.5W(Tc)的最大功率耗散能力,进一步保证了其在恶劣环境下的长期可靠性。

基本参数:

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