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AO6409A_102是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6引脚TSOT封装。该器件设计最大漏源电压（Vdss）为20V，并在环境温度（Ta）下可承受高达5.5A的连续漏极电流，在紧凑的封装内提供了可观的功率处理能力。

作为一款基础的功率开关元件，其P沟道特性简化了高边开关的驱动电路设计。该型号适用于需要高效空间利用和成本控制的电源管理应用，例如便携式电子设备中的负载开关和电源分配。请注意，该器件目前已处于停产状态。

• 制造商产品型号：AO6409A_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 6TSOT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• AO6409A_102，AOS产品一站式供应商。