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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6409A_102是一款由AOS制造的P沟道MOSFET,采用6引脚TSOT封装。该器件设计最大漏源电压(Vdss)为20V,并在环境温度(Ta)下可承受高达5.5A的连续漏极电流,在紧凑的封装内提供了可观的功率处理能力。
作为一款基础的功率开关元件,其P沟道特性简化了高边开关的驱动电路设计。该型号适用于需要高效空间利用和成本控制的电源管理应用,例如便携式电子设备中的负载开关和电源分配。请注意,该器件目前已处于停产状态。

基本参数:

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