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AOWF600A70F是AOS公司aMOS5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F封装。其核心电气参数定义了其在高压功率应用中的竞争力：700V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压能力，而在10V驱动下仅600mΩ的最大导通电阻（Rds(on)）则确保了优异的传导效率。

该器件在开关性能上也进行了优化，最大栅极电荷（Qg）为14.5nC，有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗。其额定连续漏极电流（Id）为8.5A，最大结温可达150°C，结合25W的功率耗散能力，使其能够胜任要求严苛的功率处理任务。这些特性共同使其成为工业电源、电机驱动和高效AC-DC转换器等应用的理想选择。

• 型号:AOWF600A70F
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF600A70F，AOS产品一站式供应商。