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零件图片(仅供参考)
AOWF600A70F
规格参数

AOWF600A70F是AOS公司aMOS5系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-262F封装。其核心电气参数定义了其在高压功率应用中的竞争力:700V的漏源电压(Vdss)提供了强大的耐压能力,而在10V驱动下仅600mΩ的最大导通电阻(Rds(on))则确保了优异的传导效率

该器件在开关性能上也进行了优化,最大栅极电荷(Qg)为14.5nC,有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗。其额定连续漏极电流(Id)为8.5A,最大结温可达150°C,结合25W的功率耗散能力,使其能够胜任要求严苛的功率处理任务。这些特性共同使其成为工业电源、电机驱动和高效AC-DC转换器等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号:AOWF600A70F
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO262F
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:aMOS5
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):700V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8.5A(Tj)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14.5nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):900pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):25W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-262F
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOWF600A70F
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO262F
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOWF600A70F的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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