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零件图片（仅供参考）
AON6448L_001
规格参数

AON6448L_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装。该器件核心参数包括80V的漏源电压(Vdss)，以及在管壳温度下高达65A的连续漏极电流处理能力，展现出强大的功率承载潜力。

其性能亮点在于优异的导通特性，在10V Vgs驱动下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为9.6毫欧（@10A），能显著降低功率损耗。同时，53nC（@10V）的栅极电荷和3100pF（@40V）的输入电容有助于实现高效的开关操作。这些特性使其非常适合用于高效率的DC-DC转换、电机驱动及电源管理电路等应用领域。

  • 制造商产品型号：AON6448L_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：SDMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），65A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.6 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6448L_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6448L_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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