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AON6448L_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装。该器件核心参数包括80V的漏源电压(Vdss)，以及在管壳温度下高达65A的连续漏极电流处理能力，展现出强大的功率承载潜力。

其性能亮点在于优异的导通特性，在10V Vgs驱动下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为9.6毫欧（@10A），能显著降低功率损耗。同时，53nC（@10V）的栅极电荷和3100pF（@40V）的输入电容有助于实现高效的开关操作。这些特性使其非常适合用于高效率的DC-DC转换、电机驱动及电源管理电路等应用领域。

• 制造商产品型号：AON6448L_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），65A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• AON6448L_001，AOS产品一站式供应商。