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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI9N50是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。其核心电气参数定义了强大的性能基础：500V的漏源电压（Vdss）与9A的连续漏极电流（Id）使其能够胜任高压大电流的开关任务。
该器件的关键优势在于优异的导通与开关特性。导通电阻（Rds(on)）低至860毫欧，配合仅24nC的低栅极电荷（Qg），共同实现了较低的导通损耗与快速的开关切换，有助于提升电源系统的整体效率与功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高要求应用中的可靠选择。
基本参数：
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